Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6679

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6679

FDS6679 Hakkında

FDS6679, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj, 13A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8SOIC yüzey monte paketi ile entegre edilen bu bileşen, 10V gate voltajında 9mΩ düşük on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen FDS6679, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve ses amplifikatör çıkış sahneleri gibi uygulamalarda kullanılır. 100nC gate charge ve 3939pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün üretim durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3939 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok