Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6676S

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6676S

FDS6676S Hakkında

FDS6676S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 14.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (7.5mΩ @ 10V) ile güç yönetimi uygulamalarında verimliliği arttırır. 4.5V/10V sürüş geriliminde kullanılabilen FDS6676S, boost konvertörleri, DC-DC dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Surface Mount 8-SOIC pakette sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 1W maksimum güç tüketimini yönetebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4665 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok