Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6676AS

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6676AS

FDS6676AS Hakkında

FDS6676AS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 6mΩ on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDS6676AS, 4.5V-10V arasında sürüş gerilimi ile çalıştırılır ve 2.5W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2510 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok