Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6676AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6676AS
FDS6676AS Hakkında
FDS6676AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET türü küçük sinyal alan-etki transistörüdür. 30V drain-source gerilimi, 14.5A sürekli drain akımı ve 6mΩ maksimum RDS(on) değerleri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtar uygulamaları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 10V ve 4.5V gate sürü gerilimlerinde optimize edilerek tasarlanmıştır. 63nC gate charge ve 2510pF input capacitance parametreleri, hızlı anahtarlama gerektiren devreler için özellikleridir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2510 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok