Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6676

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6676

FDS6676 Hakkında

FDS6676, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. 7mΩ (10V, 14.5A koşullarında) düşük RDS(on) değeri ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Gate kapasitansi ve charge özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. Mobil cihazlar, laptop güç yönetim devreleri, DC-DC dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5103 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok