Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6675A

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6675A

FDS6675A Hakkında

FDS6675A, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim, 11A sürekli akım kapasitesi ve 13mOhm maksimum on-state direnci ile çalışır. 8-SOIC yüzey monte paket içerisinde sunulur. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetiminde, motor kontrol uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 2.5W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Düşük gate charge değeri (34nC @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok