Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6675A
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6675A
FDS6675A Hakkında
FDS6675A, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltajında 11A sürekli drain akımı sunmakta ve 13mΩ on-resistance değerine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 2.5W güç dissipasyon kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve analog sinyal kontrolü gerektiren uygulamalarda kullanılır. Gate charge 34nC, input capacitance 2330pF ve threshold voltage 3V karakteristikleriyle değişken hızlı komutasyon gerektiren tasarımlarda tercih edilir. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2330 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok