Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6675
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6675
FDS6675 Hakkında
FDS6675, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 11A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzeye monte paket tipinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 14mOhm Ron değeri (10V, 11A'de) ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. 42nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Maksimum ±20V gate-kaynak gerilimi toleranslıdır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok