Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6673BZ-F085

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6673BZ

FDS6673BZ-F085 Hakkında

FDS6673BZ-F085, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ve 14.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile tasarlanmış olup, 7.8mΩ (10V, 14.5A) on-resistance değerine sahiptir. Şarj yönetimi, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Bileşen üretim süresi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok