Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6672A
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6672A
FDS6672A Hakkında
FDS6672A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 12.5A sürekli dren akımı ile çalışır. 8SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulur. Rds(on) değeri 10V Vgs'de 8mΩ'dur ve maksimum 2.5W güç tüketimine dayanabilir. ±12V maksimum gate gerilimi ve 2V eşik gerilimi ile kontrol edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu FET, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, sürücü uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Düşük gate charge (46nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama sağlar. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5070 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok