Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6670S
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6670S
FDS6670S Hakkında
FDS6670S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, küçük sinyal uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 30V Drain-Source voltajı ve 13.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 10V gate voltajında 9mOhm'luk düşük On-Resistance (RDS(on)) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2674 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok