Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6670AS

MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6670AS

FDS6670AS Hakkında

FDS6670AS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 13.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketi içerisinde sunulur. 10V gate geriliminde 9mOhm on-direnç değerine sahip olup, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. 38nC gate yükü ve 1540pF giriş kapasitansı değerleriyle hızlı komütasyon özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok