Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6670AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6670AS
FDS6670AS Hakkında
FDS6670AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 13.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9mOhm maksimum RdsOn değeri ile verimli güç dağılımı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V Vgs ile geniş gate gerilim aralığına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük gate charge ve input capacitance özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1540 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok