Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6670A

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6670A

FDS6670A Hakkında

FDS6670A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8mOhm Ron değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulur. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok