Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6630A

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6630A

FDS6630A Hakkında

FDS6630A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 38mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 7nC olup hızlı komütasyon özelliği vardır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, switch mode power supplies (SMPS), motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve dijital lojik devrelerinin sürücü çıkışlarında uygulanabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen kompakt tasarımlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok