Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6630A
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6630A
FDS6630A Hakkında
FDS6630A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörleridir. 30V Drain-Source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmış bu bileşen, düşük açık direnci (38mOhm @ 6.5A, 10V) nedeniyle verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±20V Gate-Source gerilim aralığında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan FDS6630A, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. 2.5W maksimum güç tüketimi ve 7nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok