Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6614A
MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6614A
FDS6614A Hakkında
FDS6614A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 9.3A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 18mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 17nC gate charge ve 1160pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve dijital lojik arayüz uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete (kullanımdan kaldırılmış) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok