Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6612A
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6612A
FDS6612A Hakkında
FDS6612A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.4A sürekli drain akımı ile karakterize edilen bu bileşen, düşük on-dirençli tasarım ile anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunar. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybı minimize edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan FDS6612A, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok