Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6609A
FDS6609A Hakkında
FDS6609A, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim desteği ve 6.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve gerilim regülatörü gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Hızlı anahtarlamaya olanak sağlayan düşük gate charge (29nC) ve input capacitance (930pF) özellikleri nedeniyle verimli devre tasarımında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok