Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6609A
FDS6609A Hakkında
FDS6609A, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 6.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source voltajında 32mOhm düşük on-direnci (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponentin maksimum güç harcaması 2.5W'tır. Gate şarj miktarı (Qg) 10V'ta 29nC olup, giriş kapasitesi (Ciss) 15V'ta 930pF'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Lütfen dikkat: Bu parça üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok