Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6576

MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6576

FDS6576 Hakkında

FDS6576, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 14mOhm (4.5V, 11A) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4044 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 11A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok