Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6575

FDS6575 Hakkında

FDS6575, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 13mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen FDS6575, güç yönetimi uygulamalarında, load switching devrelerinde, batarya yönetim sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve ±8V maksimum gate-source gerilimi ile çeşitli endüstriyel ve tüketim elektronikleri uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4951 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok