Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6572A

MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6572A

FDS6572A Hakkında

FDS6572A, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source geriliminde 16A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 6mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 80nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Lojik seviyesi sürülebilen tasarımı ile gömülü sistem ve endüstriyel uygulamalara uygun bir seçimdir. Bileşen artık üretim dışı (obsolete) olup, yerine geçer parça seçimi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5914 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 16A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok