Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6572A

MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6572A

FDS6572A Hakkında

FDS6572A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve yönetim işlevleri için tasarlanmıştır. 6mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. Surface mount 8-SOIC paket formatında sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Parça obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5914 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 16A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok