Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6375

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6375

FDS6375 Hakkında

FDS6375, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Small signal uygulamalar için tasarlanan bu transistör, 8A maksimum drain akımı kapasitesine sahiptir. 20V drain-source gerilim ile çalışabilen FDS6375, 24mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, ses sistemleri ve genel sinyal işleme devrelerde kullanılır. Surface mount 8-SOIC paket ile sağlanan transistör, kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2694 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok