Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6299S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6299S

FDS6299S Hakkında

FDS6299S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 21A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. Düşük on-state direnci (3.9mΩ @ 21A, 10V) sayesinde ısıl kaybı minimize eder. 8-SOIC surface mount paketinde sunulur. Güç yönetimi, motor sürücüleri, LED kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum gate voltajı ±20V, gate charge 81nC @ 10V, threshold voltajı 3V @ 1mA'dir. Maksimum güç tüketimi 3W'tır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3880 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok