Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6162N7

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
FDS6162N

FDS6162N7 Hakkında

FDS6162N7, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponendir. 3.5mOhm düşük on-state direnci ile enerji kayıplarını minimize eder. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge özellikleri hızlı anahtarlama ve düşük enerji tüketimi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5521 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 23A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok