Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6162N7
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6162N
FDS6162N7 Hakkında
FDS6162N7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim, 23A sürekli dren akımı ve 3.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Gate charge değeri 73nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özelliktedir. ±12V maksimum gate gerilimi ile güvenli kontrol sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount 8-SO pakajında sunulan bu transistör, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri ısıl kaybı minimize ederek yüksek verimlilik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5521 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 23A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok