Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6064N7

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
FDS6064N

FDS6064N7 Hakkında

FDS6064N7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 23A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 3.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-SO paketinde sunulur ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir. 1.8V-4.5V sürü gerilimi aralığında çalışır ve 98nC gate charge değerine sahiptir. Ürün şu anda üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7191 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 23A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok