Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6064N3
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6064N3
FDS6064N3 Hakkında
FDS6064N3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük on-state direnci sağlayan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında verimli anahtarlama performansı sunar. Surface Mount 8-SO paket tipi ile PCB entegrasyonu kolaydır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sağlar. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Maksimum ±8V gate gerilimi toleransı ile güvenli gate sürülemesi mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7191 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 23A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok