Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS5690
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS5690
FDS5690 Hakkında
FDS5690, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. Küçük sinyal uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 60V drain-source voltajına ve 7A sürekli drain akımına sahiptir. 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olup, 10V gate voltajında çalışır. SOIC-8 yüzey montaj paketinde sunulan FDS5690, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1107 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok