Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS5690-NBBM009A
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS5690
FDS5690-NBBM009A Hakkında
FDS5690-NBBM009A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 28mOhm on-state direnci (RDS(on)) ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 32nC gate charge ve 1107pF input capacitance değerleriyle hızlı switching işlemleri mümkün kılmaktadır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1107 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok