Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS5690
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS5690
FDS5690 Hakkında
FDS5690, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paketlemede sunulan bu bileşen, 28mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. ±20V gate gerilim toleransı ve 4V eşik gerilimi ile kontrol devreleriyle uyumlu çalışır. Maksimum 2.5W güç harcaması ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1107 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok