Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS5680

MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS5680

FDS5680 Hakkında

FDS5680, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok