Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS5672

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS5672

FDS5672 Hakkında

FDS5672, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan FDS5672, -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlar, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok