Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS5670
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS5670
FDS5670 Hakkında
FDS5670, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, güç anahtarlama ve yüksüz sürücü uygulamalarında kullanılır. 14mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan FDS5670, modern elektronik devrelerde kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok