Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS5170N7
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS5170N
FDS5170N7 Hakkında
FDS5170N7, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 10.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDS5170N7, 3W maksimum güç tüketimi ile entegre devreler içinde yer alır. 71nC gate charge ve 2889pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2889 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok