Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS4770

MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS4770

FDS4770 Hakkında

FDS4770, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim ve 13.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 7.5mOhm on-state direnci (Rds On) düşük enerji kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bileşen üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok