Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS4470

FDS4470 Hakkında

FDS4470, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 12.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 9mΩ (10V, 12.5A koşullarında) düşük on-state direnci ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Gate charge 63nC ve giriş kapasitansi 2659pF (20V) değerlerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2659 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +30V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok