Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS4465-G

MOSFET P-CH 20V 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS4465

FDS4465-G Hakkında

FDS4465-G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim derecesi ile tasarlanan bu bileşen, 13.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8.5mOhm (4.5V, 13.5A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan komponent, -55°C ile +175°C aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtar devre uygulamaları, motor kontrolü ve load switching gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 120nC gate charge ve 8237pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama davranışını destekler. Not: Bu bileşen obsolete (üretim dışı) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8237 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok