Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS4435BZ-F085

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS4435BZ

FDS4435BZ-F085 Hakkında

FDS4435BZ-F085, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 8.8A sürekli drenaj akımına sahiptir. 20mOhm (10V, 8.8A'de) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerde ve yük kontrolü sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. 40nC gate charge ve 1845pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1845 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok