Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS4435
FDS4435BZ Hakkında
FDS4435BZ, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ve 8.8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 8SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtar kontrol devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve inverter devrelerde kullanılır. Gate kapasitansi 1845 pF, Gate yükü 40 nC ve ±25V maksimum gate gerilimi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 2.5W maksimum güç disipasyonu ile batarya uygulamaları ve taşınabilir cihazlarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1845 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok