Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS4435A
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS4435A
FDS4435A Hakkında
FDS4435A, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8-SOIC yüzeye monte paket içerisinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 17mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol devreleri gibi geniş bir uygulama yelpazesinde kullanılır. 2.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 30nC maksimum gate charge değeriyle hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygun bir seçimdir. Bileşen üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok