Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS4070N3

MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
FDS4070N

FDS4070N3 Hakkında

FDS4070N3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 15.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8-SO yüzey montajlı paketle sunulmaktadır. 7.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 10V gate voltajında 67nC gate yükü ve 2819pF giriş kapasitansı karakteristikleriyle tanımlanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uygun olan bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve sürücü aplikasyonlarında kullanılır. Maksimum 3W güç tüketim kapasitesi ile enerji verimliliği gerektiren tasarımlara uygundur. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumda olup, arşiv ve bakım uygulamalarında temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok