Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS3692
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS3692
FDS3692 Hakkında
FDS3692, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 4.5A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 60mΩ maksimum RDS(on) değeri ile 10V gate geriliminde verimli anahtarlama sağlar. 15nC gate charge ve 746pF input kapasitans değerleri hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygun özelliklere sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu FET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.5W maksimum güç dağıtımı gerçekleştirebilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük anahtarlama ve DC-DC konvertörler gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 746 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok