Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS3670
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS3670
FDS3670 Hakkında
FDS3670, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 32mOhm maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. 2.5W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Bileşen üretimden kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2490 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok