Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS3612

MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS3612

FDS3612 Hakkında

FDS3612, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu FET, 120mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik sağlar. Gate charge özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama performansı gösterir. Motor kontrolü, güç kaynağı uygulamaları, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Lütfen not edin: bu ürün kullanımdan kaldırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok