Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS3580

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS3580

FDS3580 Hakkında

FDS3580, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. Surface Mount (8-SOIC) paketlemesiyle sunulan bu küçük sinyal FET, 80V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drain akımı ile çalışır. 29mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 46nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, düşük sinyal anahtarlamasında ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 2.5W güç dissipasyonu kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok