Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS3572_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS3572

FDS3572_NL Hakkında

FDS3572_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim derecelendirilmesi ve 8.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 16mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrolcüler, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç dağıtım sistemleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok