Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS3572

MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS3572

FDS3572 Hakkında

FDS3572, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 8.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16mΩ düşük on-direnci sayesinde enerji kaybını minimalize eder. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.5W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok